Comparação entre a RRAM e a Flash NAND (Fonte da imagem: Reprodução/VentureBeat)A empresa americana Crossbar anunciou hoje (5) um novo tipo de chip de memória que poderá substituir a memória flash em uma série de aplicações.
Trata-se da RAM Resistiva (Resistive RAM, ou RRAM), uma tecnologia que pode armazenar 1 terabyte de dados em um único chip menor que um selo postal. O projeto foi desenvolvido por uma startup chamada Santa Clara, localizada na Califórnia, EUA.
A RRAM é capaz de acessar dados 20 vezes mais rápido do que a melhor memória flash disponível no mercado atualmente. E ela poderá causar um sério estrago no mercado de memória flash, que está presente em diversos gadgets, como iPhones, tablet e câmeras digitais, causando prejuízos de 60 bilhões de dólares.
Da mesma forma que a flash, a RRAM é uma memória de armazenamento não volátil, o que significa que pode guardar dados de forma permanente, mesmo quando a energia é desligada.
Mais rápida e resistente
A Crossbar afirma que a RRAM vai permitir uma nova onda de inovação eletrônica para consumidores, empresas e indústrias. Com armazenamento de 1 TB, por exemplo, será possível adicionar 250 horas de filme de alta definição no pequeno chip.
Além disso, ela gasta 20 vezes menos energia, o que estende a vida útil da bateria dos dispositivos por semanas, meses ou anos. A empresa afirma também que a RRAM é 10 vezes mais resistente que os chips de memória flash NAND.
A Crossbar acredita que poderá gravar dados em seu chip a uma velocidade de 140 megabytes por segundo, em comparação aos 7 megabytes por segundo da memória flash. O desempenho de leitura é de 17 megabytes por segundo.
De acordo com George Minassian, presidente-executivo da Crossbar, a tecnologia é fácil de ser fabricada e em três anos ela já estaria disponível no mercado. É claro que a tarefa não será fácil para a empresa, já que é sempre difícil substituir uma tecnologia existente operando em larga escala por uma nova.
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